传三星挤下台积电获高通首批14纳米FinFET芯片订单

　　三星由于在DRAM方面的领先优势，在FinFET技术上也非常先进，加上抢下高通的订单，三星半导体实力将进一步上升，反观台积电，最近由于英特尔、三星代工的崛起貌似处境不太妙，不过，技术的领先，台积电没有必要过分担忧，毕竟，先进制程只有我家有，等我赚的盆满钵满留给你们点残羹冷炙也无关紧要。

　　消息称，高通主要竞争对手联发科一直与台积电在28纳米和20纳米工艺上展开合作，将继续使用台积电的16纳米FinFETPlus工艺开发芯片。

　　业界消息称，高通已经将首批FinFET(鳍式场效晶体管)芯片订单下给了三星电子，而不是业界普遍认为的台积电。三星将使用14纳米制程工艺生产FinFET芯片，而台积电使用的是16纳米。消息称，尽管16纳米晶粒(Die)尺寸大于14纳米，但台积电自信可以通过将芯片生产良品率最大化的方式增加产能，进而帮助客户降低生产成本。

　　尽管高通的策略是与多个代工制造商在28纳米或更为成熟的工艺上合作，包括台积电、三星、Globalfoundries、联电、中芯国际，但消息认为高通在FinFET产品开发上没有尝试与台积电合作将承受一定风险。FPGA芯片厂商Altera此前曾选择英特尔开发14纳米FinFET产品，但由于英特尔良品率低被迫将订单转移给了台积电。

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