三位诺贝尔物理学奖得主的开创性工作

        邵嘉平博士最后还表示，千万不要以为他们是拍脑袋的灵感做出了很牛逼的事情。事实是，他们一根筋地坚持做研究(以十数年计算)，本身就很聪明，加上运气好，才有的收获。

        10月7日，诺贝尔物理学奖得主的消息一经公布，整个LED业界顿时沸扬。因发明“高亮度蓝色发光二极管”，赤崎勇(IsamuAkasaki)、天野浩(HiroshiAmano)和中村修二(ShujiNakamur)获得2014年诺贝尔物理学奖。

        可见LED在当今世界发展进程中，有着非同凡响的意义，并且未来也将会对人类产生深远而又巨大的影响。

        值得一提的是，中村修二于2012年参加了全球LED年度盛会“新世纪LED高峰论坛”，并发表了前瞻性演讲，为LED产业提供新的指导和参考。

        那么，三位诺贝尔物理学奖得主具体的开创性工作是什么?

        据业内资深专家，科锐中国区总经理兼技术总监邵嘉平博士介绍，大约上世纪80年代初中期，基于磷化物，砷化物的红绿红黄等发光二极管LED差不多搞定了(当然高亮的AlGaInP四元红黄光要HP惠普科学家在80年代末才最终搞定)，但蓝光一直没搞定，有做II/VI族的也有III/V族的，氮化镓GaN最大的问题是缺乏同质衬底，不像GaAs,InP做近红外红外那样容易做，又是宽禁带，需要更高温度合成(热场条件更苛刻)，外延材料的缺陷密度高，空穴掺杂浓度低(形成络合物掺杂被钝化了)等一系列问题。大多数欧美科学家搞化合物半导体研究的做半导体激光器发光二极管的，都尝试过，多数均放弃。

        这上面三位，前两者在名古屋大学，中村在日亚，坚持不懈搞，比较一根筋，最起劲用MOCVD搞氮化物外延的主，此前主要是MBE分子束外延，MBE搞出来的缺陷密度要低，但做电子器件行，光电子器件/LED不行。他们动了很多邪乎的招，譬如低能电子束扫描退火LEEB,lowenergyelectronbeam氧气中快速热退火RTA,rapidthermalannealing(要知道此前的所有半导体材料硅锗砷化镓磷化铟都最怕氧气，一般是在惰性气体中退火)。

        当然，赤琦勇最开创性地还在于在蓝宝石Sapphire衬底上的低温缓冲层技术LTBufferLayer靠三维岛状结晶来释放蓝宝石三角晶系和上面六方相氮化镓材料间的失配，最后获得高品质的蓝绿光发光材料。

        比之前两位，中村的工艺水平更高，1cd量级的高亮度蓝光和白光LED是他最早搞出来并且量产，同时，蓝绿光激光器他也是先驱。

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  10月7日，诺贝尔物理学奖得主的消息一经公布，整个LED业界顿时沸扬。因发明“高亮度蓝色发光二极管”，赤崎勇(Isamu Akasaki)、天野浩(Hiroshi Amano)和中村修二(Shuji Nakamur)获得2014年诺贝尔物理学奖