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“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术填补国内空白

2015-1-24 9:39:32  来源:中电网  字体大小:

  围绕上述主专利,华润上华还分别在国内外申请了41项周边专利,构成专利组合,对华润上华所经营的特定领域进行系统控制和保护,使华润上华获得持续的竞争优势。目前,华润上华在国内单芯片LED照明驱动电源市场中的市场占有率达到100%,有国内外知名客户21家,部分产品已成功被大众、奥迪等汽车厂商使用。

  华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(“华润上华”)自主研发的“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白,开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术,达到国际领先水平。目前,该项专利已应用于华润上华晶圆生产线,累计产出已达24万片,大幅提升了企业营收能力,两年内为华润上华新增直接销售额3.8亿元,新增利润4500万元。

  该项专利提供一种提高跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法,采用圆环形结构在N型漂移区形成P型同心环,通过调整P型同心环的半径控制P型杂质总量,从而与N型杂质达到电荷平衡,提高跑道形器件结构弯道部分耐压的方式。传统方式是在弯道部分形成简单的PN结,PN结的反向耐压即为器件弯道部分的耐压,这种方式虽然简单,但却使弯道部分不存在沟道,从而浪费了芯片面积。采用该技术不仅可在跑道形器件结构的弯道部分提高耐压,而且可以在弯道部分保留沟道,使器件电流变大,达到有效利用芯片面积,增大电流,降低导通电阻的目的。

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